На мові С++, visual studio
Описати масив структур з 3-х елементів. Кожна структура об'єднує дані для даного варіанту розрахунку.
Необхідно для кожного варіанта на відрізку часу від 0 до Т з кроком побудувати графік зміни активної потужності P_a (вт), що розсіюється в діалектрику.
P_a = u^(2) * 2πfc * tg(δ), де
u - значення напруги (вт)
f - частота струму (Гц)
c - ємність конденсатора (Ф)
tg(δ) - тангенс кута діелектричних втрат.
Напруга u_i частота f змінюються в часі:
u = {
u_0(1-e^(-kt)) для t ∈ [ 0, T/4 ]
u_0(1-e^(-k * (T/4))) для t ∈ [ T/4, T/2 ]
u_0(1-e^(-kt)) e^(-k *(t- (T/2)) для t ∈ [ T/2 , T ]
k = {
k_0(1+mt) для t ∈ [0, T/2]
k_0(1+m * (T/2)) для t ∈ [T/2, T]
Тут u_0, k_0, m - задані константи.
f = {
f_0(1+ht) для t ∈ [0, T/4]
f_0(1+h*(T/4)) для t ∈ [T/4, (3T)/4]
f_0(1+h*(T/4)) – f_0 *e^(-h(t-(3/4)*T)) для t ∈ [(3T)/4, T]
f_0, h - задані константи.
Вхідні дані зчитуються з файлу ( .txt формат). Результати розрахунків занести в інший файл. Передбачити окремі функції для розрахунків f k u.
Вхідні дані
1. T = 10 c, ∆t = 0.5 c, u_0 = 100 B, k_0 = 0.1 , m= 0.1 , f_0 = 1000 Гц, h = 0.1 , C = 1000 * 10^-12 ф, tg(δ) = 10^-3.
2. u_0 = 120 B, m = 0.15 , f_0 = 1500 Гц , h = 0.12 , C = 2000 * 10^-12 ф , tg(δ) = 0.005. Інші дані див. п. 1.
3. u_0 = 90 B, m = 0.2, f_0 = 2000 Гц , h = 0.15 , C = 4000 * 10^-12 ф , tg(δ) = 0.008. Інші дані див. п. 1.
